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HiLight Semiconductor将在CIOE 2019展示创新的无柔板10G-PON BOB ONU参考设计以及25G CMOS TIA

摘要:HiLight Semiconductor将在深圳CIOE 2019展示多款用于数据通信和接入网络的 CMOS PMD产品,在CIOE期间会向已安排会议的客户现场演示以下产品和参考设计:

? ? HiLight Semiconductor将在深圳CIOE 2019展示多款用于数据通信和接入网络的 CMOS PMD产品,在CIOE期间会向已安排会议的客户现场演示以下产品和参考设计:

? ??HLC10P0: 基于HiLight HLC10P0 对称‘5合1’ Combo IC及HLR10G1 APD TIA BOSA 的对称型10G-PON无柔板BOSA-on-Board参考设计。该参考设计使用一种创新的BOSA连接方法,将BOSA直接焊到电路板上因而不需使用柔板以降低成本,提高性能并降低WiFi敏感度,结合HiLight的双闭环消光比控制专利技术使得该方案的成本得以进一步降低.

? ??HLR25G0 and HLR25G1: 用于SFP28 LR / LR lite和APD应用的25G CMOS跨阻放大器。HLR25G0是专为PIN光电二极管应用而设计,而HLR25G1则适用于APD应用。HiLight 将在展会期间现场演示标准5-pin TO-can LR ROSA和APD ER ROSA性能。

? ??HLC12L0: 12G SFP+ LR '5合1'纯COMS参考设计。该方案采用HLC12L0 Combo IC,用于FP / DFB数据通信和无线收发器应用。该芯片集成了8051微处理器和非易失性存储器,可显着降低BOM成本。此外,HLC12L0集成了一个PWM控制器,可用于基于APD的SFP+ ER(DFB)应用.

? ??HLC10P0 PON ONU Combo IC采用纯CMOS设计,具有高度集成的 ‘5合1’ 功能,包括:限幅放大器、突发模式发射器、采用专利技术的双闭环光功率和消光比控制器、APD PWM偏置控制器和带有嵌入式固件的8051微处理器用以提供数字监控。该芯片能提供高达115mA的激光偏置电流,适用于基于DML的NG-PON2设计以及10G-EPON和XGS-PON的应用。

? ??HLR25G0跨阻抗放大器采用纯CMOS设计,尺寸仅为0.7mm x 1.05mm,非常适合低成本的5 pin TO-can应用, 灵敏度优于-17dBm (0.75A / W,4.5dB ER,BER 5E-5,CPD = 70 fF) 。除用于PIN光电二极管的HLR25G0 以外,用于25G APD的HLR25G1跨阻抗放大器现已量产,有兴趣的客户可联系当地的销售代表以获取更多信息.

? ??HLC12L0 LR数据通信Combo IC采用纯CMOS设计,具有高度集成的5合1功能:10G限幅放大器、10G DML激光驱动器、APD PWM偏置控制器、可提供数字诊断监控功能的8051微处理器和可内置固件的非易失性存储器。该芯片能提供115mA的激光偏置电流,适用于大多数基于DML的SFP + LR应用。HiLight将会演示采用HLR12L0和基于Hilight高灵敏度TIA ROSA的SFP+参考设计模块。

? ??HiLight市场营销副总Christian Rookes评论道: HiLight今年将在CIOE展示应用于PON、数据通信和无线的高性价比PMD解决方案,特别适用于10G和25G规模部署。我们非常兴奋地展示我司创新的无柔板对称10G-PON BOB参考设计,以及由HiLight 25G CMOS TIA系列实现的低成本5 pin TO-can ROSA参考设计。

? ? 销售副总Jess Brown评论道:HiLight非常高兴为客户提供首个世界领先的25G CMOS解决方案,完整 的25G和100G ?CMOS解决方案也即将发布,我们很期望能与客户基于这些高性能系列产品有更紧密的洽谈合作。

? ??关于HiLight Semiconductor Limited:

? ??HiLight半导体是一家有风投机构投资的Fabless芯片设计公司,2012年由有丰富初创企业经验的人员所创立。专注于纳米级CMOS工艺设计并提供用于高速光纤通信和网络/数据中心应用的高性能的PMD和PHY 芯片。

? ? 目前为止,HiLight已经向PON、数据中心和网络市场销售超过7500万个芯片。

? ??HiLight的总部位于英国南安普敦,在英国布里斯托尔设有设计中心,并在中国大陆(深圳,武汉)、台湾和日本设有销售以及技术支持办事处。


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